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新型离子注入装置 [复制链接]

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离线futa
 

只看楼主 倒序阅读 使用道具 楼主  发表于: 1991-11-29

日本《日经产业新闻》十一月二十日报道,美国加州的半导体制造装置厂家瓦利安公司研制成的这种装置,使用的引出离子的电压提高到七十千伏,离子注入硅片表面的深度为二微米(提高近十倍)。
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