互补金属氧化物半导体研制成功 [复制链接]

    【美联社东京二月十四日电】日本东芝公司今天宣布’它已研制成功一种既省电、速度又快的计算机元件——一百万比特动态随机存取存储器的原型。
    这家公司的一位发言人说，新的动态随机存取存储器锌片，是用互补金属氧化物半导体技术制成的，它的存储容量多达四页报纸版面。
    这家公司还说，同当前的二百五十六千比特动态随机存取存储器相比，新锌片的存储容量大三倍，速度约快百分之五十，消耗的电力减少了约百分之二十五。东芝公司说，它将在各种各样的计算机、办公自动化设备和便携式电子设备中得到应用。
    比特是最小的信息单位。在动态随机存取存储器中，一个晶体管和一个电容组成的存储元件，可以储存一个比特的信息。一个一百万比特的锌片，能够储存一百万比特的信息。
    东芝公司去年十一月宣布它研制成功了一种一百万比特沟道金属氧化物半导体动态随机存取存储器。
    同沟道金属氧化物半导体相比，互补金属氧化物半导体锌片耗电量要小得多，因而产生的热量也小，这样一来就可以把元件造得更小一些。
    东芝公司的发言人说，东芝公司打算继续对沟道金属氧化物半导体和互补金属氧化物半导体进行研究开发。他说，因为前者的成本比较低。