日本研制出砷化镓半导体新工艺 [复制链接]

    【法新社东京八月二十一日电】政府办的日本研究开发公司今天说，它已研究成功一种能生产性能高得多的砷化镓半导体的新工艺，这种半导体能够提高计算机的运算速度。
    该公司的官员们说，这种新方法，叫做光电分子层外延法，是由国立东北大学西泽教授领导的该公司的攻关小组发明的。
    砷化镓是一种奇异的结晶材料，可用来制造十分高级的半导体。
    据说砷化镓半导体从速度和耗能方面来说，比硅半导体优越得多，但也要昂贵得多。
    他们说，如果要用这样生产出来的砷化镓单晶体制造出静电感应晶体管，就能研制出运算速度比普通计算机快约一百倍的超级计算机。
    官员们说，这个攻关小组将开始用这种砷化镓单晶体试制厚度为零点一微米的静电感应晶体管。
    公司的官员们说，从晶体厚度来说，新工艺能以二点五埃（一埃等于千分之十微米）的等级控制晶体生长，这比一般的复合晶体生长工艺都低得多。分子束外延法为十埃，金属氧化物化学蒸汽沉积法高达一百埃。
    他们说，另一个主要特点是，一般的晶体生长工艺所需温度为六百摄氏度，相比之下，新的工艺采用了紫外线辐射，在三百五十摄氏度时就能保证晶体的生长。